 

LED IR 0.3W 850nm - 5050 LED 3-cip

Jenis bayaran: T/T,Paypal,Western Union

Pengangkutan: Ocean,Land,Air

dapatkan harga terkini

Hubungi sekarang

Sembang sekarang

Atribut Produk



Atribut Produk

Model No.: 5050IRC-85L10I90

Jenama: LED Terbaik

Pembungkusan & Penghantaran
Unit Jualan	:	Piece/Pieces
Jenis Pakej	:	Kotak karton
Muat turun	:

Penerangan produk



- LED 5050 SMD IR -

5050IRC-85L10I90

LED 850nm boleh digunakan secara meluas dalam kamera CCTV, kamera penglihatan malam atau beberapa sistem kawalan keluaran lain dan sistem keselamatan IR. Sarung LED SMD ini berukuran 5.0 * 5.0mm, yang lebih besar daripada LED SMD yang lain (2835 SMD LED, 3528 SMD LED dll.). Supaya 5050 SMD LED case ini mempunyai cukup ruang untuk memasukkan 3 chip LED bare die. Dalam kes ini, LED cip 350 inframerah 850nm ini akan mendapat hasil sinaran pencahayaan yang lebih seragam. Bandingkan dengan LED inframerah 850nm kuasa tinggi, LED 5050 3 cip 850nm ini akan lebih menjimatkan ekonomi dan tenaga. Adakah anda memerlukan sekitar 850nm dengan 3 cip di dalam SMD LED? Hubungi kami untuk maklumat lebih terperinci!

5050 smd ir led

- Size: 5.0*5.0*1.3mm

- Chip Number: 3 chips

- Wavelength: 850nm

- Type: Surface mount device

- Chip brand: Epistar

- Polarity mark cathode

- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance

- Parameter Dimensi-

5050 led IR 3CHIPS

Sarung LED SMD ini juga tersedia untuk LED IR, LED UV, LED SMD Biru, LED SMD Merah, LED Amber dll.

- Memancarkan Warna -

- Parameter Elektrik -

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	140mw
Pulse Forward Current	IFP	900mA
Forward Current	IF	90mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Bag
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.3	1.4	1.6	V	IF=20mA*3
		1.4	1.5	1.8		IF=50mA*3
		1.6		2.0		IF=100mA*3
Radiant Intensity	IE		10	20	mW/sr	IF=20mA*3
		30	37	45		IF=50mA*3
			78			IF=100mA*3
Peak Wavelength	λP	840	850	860	nm	IF=20mA*3
Half Width	Dl		45		nm	IF=20mA*3
Viewing Half Angle	2q1/2		120		deg	IF=20mA*3
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.